型号:CM600HB-90H 品牌:三菱 封装:IGBT模块 产地:日本
主营英飞凌,三菱,富士,东芝,三社,西门子,西门康,IXYS, eupec,等功率模块, 瑞士LEM霍尔传感器、电流传感器、电压传感器;GTR,IGBT,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥, SAMSUNG、TI、NXP、FSC、NS 、ON、IR、等IC 二三极管 MOS管,
3代(后期)——U系列三菱IGBT模块
一单元 HU 600V (12H): CM600HU-12H
1200V (24H): CM400HU-24H CM600HU-24H
二单元 DU 600V (12H): CM75DU-12H CM100DU-12H CM150DU-12H CM200DU-12H CM300DU-12H CM400DU-12H
1200V (24H): CM50DU-24H CM75DU-24H CM100DU-24H CM150DU-24H CM200DU-24H CM300DU-24H
四单元 BU 600V (12H): CM75BU-12H CM100BU-12H
六单元 TU 600V (12H): CM75TU-12H CM100TU-12H CM150TU-12H CM200TU-12H
1200V (24H): CM50TU-24H CM75TU-24H CM100TF-24H
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。 他没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。 IGBT有三个端子,分别是G,D,S,在G和S两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。
三菱示意型号:
TM55RZ-M;TM60SA-6;TM60SZ-M;TM90CZ-24;TM90CZ-2H;TM90CZ-H;TM90CZ-M;TM90DZ-24
TM90DZ-2H;TM90DZ-H;TM90DZ-M;TM90EZ-24;TM90EZ-2H;TM90EZ-H;TM90EZ-M;TM90RZ-24;
TM90RZ-2H;TM90RZ-H;TM90RZ-M;TM90SA-6;CM400YE2N-12F ;CM400YE2P-12F;CM600YE2N-12F ;CM600YE2P-12F