三菱IGBT模块 武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的授权代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。 A系列 特点: a) 采用*新的CSTBT硅片技术； b) 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）； c) 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT； d) 采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻； e) 比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。 用途: 低成本设计，适合中、低端 型号 模块结构及参数 型号 模块结构及参数 CM400HA-24A 一单元，400A/1200V CM600DY-24A 两单元，600A/1200V CM600HA-24A 一单元，600A/1200V CM75DY-34A 两单元，75A/1700V CM100DY-24A 两单元，100A/1200V CM100DY-34A 两单元，100A/1700V CM150DY-24A 两单元，150A/1200V CM150DY-34A 两单元，150A/1700V CM200DY-24A 两单元，200A/1200V CM200DY-34A 两单元，200A/1700V CM300DY-24A 两单元，300A/1200V CM300DY-34A 两单元，300A/1700V CM400DY-24A 两单元，400A/1200V CM400DY-34A 两单元，400A/1700V