SPA11N65C3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 650 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 11 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.38 Ohms 配置: Single *大工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220FP 封装: Tube 下降时间: 5 ns *小工作温度: - 55 C 功率耗散: 33 W 上升时间: 5 ns 工厂包装数量: 50 典型关闭延迟时间: 44 ns 深圳市天九电子科技有限公司 www.igbtic.com